电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询.技术参数：1。小线宽：小于10nm（可实现8nm)2.加速电压：5-50kV3。电子束直径：小于2nm4!套刻精度：20nm(mean2σ)5。拼接精度：20nm(mean2σ)6。加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)7！
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==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统！
我们推荐电子束
描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1!采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0。0012nm4!采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等！
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)！欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等!
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