国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受！其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难！第二，光刻胶与曝光工艺。我一直以为碳化硅曝光和硅基本一致，后面发现并不是这样，还是那个问题碳化硅有很好的透光性，普通6英寸光刻工艺的硅的光刻胶是完成不了曝光工序的。

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　　外延片质量和衬底质量有一定的关系，但是不是关系，高水平的外延能很大程度上弥补衬底固有缺陷，但是缺陷太多长一层外延也并不解决问题，但是外延长的好确实降低了器件对衬底的要求.所以哪怕衬底有这么点瑕疵，外延之后，依然能用！现阶段，是有衬底就行了，所以哪怕衬底质量有些问题，依然能用，敢用原因就在这里，碳化硅需求太旺盛了。其次器件是在外延层上，除了IGBT那种垂直穿通型的结构，大部分都是在外延层上做的结构，衬底甚至还要减薄，剥离，反正有相当一部分衬底都要被剥离，有点小问题也所谓，因此外延工艺降低了器件对衬底的要求，至少二极管之类肯定是能用的。

　　外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare！国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公司!PVT法的长的碳化硅晶体天然是N型，没有P型，但是做外延层就可以调节N还是P，以及掺杂浓度（至少硅的外延层就是这样的）！之所以要做外延层，道理也很简单，消除衬底本身的缺陷问题，提高器件良率，其次是根据不同工艺，需要做不同外延掺杂工艺.那么对于碳化硅而言，外延之后，能明显提高良率！

　　其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控.CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆。目前国外日新技研和PVATepla的长晶炉基本要卖到300万左右一台!

　　显然CREE平面型的刻蚀工序就不会很多，但是英飞凌和罗姆都是类似沟槽结构，刻蚀工序必然又多又复杂。到现在这沟槽结构已经异常复杂，已经变成多级沟槽！洒家推测，以后的碳化硅刻蚀设备不仅仅是一个台ICP刻蚀，应该是一台ICP-CVD刻蚀设备，在挖多级沟槽的时候，一边挖一边砌墙，刻蚀与沉积保护膜同步进行。第四，栅极工艺的问题.罗姆曾经吃过亏，整个碳化硅一大块面积都糊了!洒家请教过很多专家，有部分人的认为，问题出在氧化栅极上，MOSFET的栅极就是这一层二氧化硅。