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  • 产品名称:纳米材料合成设备_碳化硅喷嘴相关-山东特创新材料科技有限公司
  • 产品价格:9.00
  • 产品数量:999
  • 保质/修期:9
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2020-12-02
产品说明

      此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致![5]物质结构纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异![3]碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)!

      碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料!例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的窑具材料之一,它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称:SiC颗粒料,因含有C且超硬,因此SiC颗粒料曾被称为:金刚砂.但要注意:它与天然金刚砂(也称:石榴子石)的成分不同!在工业生产中,SiC冶炼块通常以石英、石油焦等为原料,辅助回收料、乏料,经过粉磨等工序调配成为配比合理与粒度合适的炉料(为了调节炉料的透气性需要加入适量的木屑,制备绿碳化硅时还要添加适量食盐)经高温制备而成!

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      虽然在异相触媒担体的应用上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,而另一种碳化硅,μ-碳化硅为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至今日,这两种型态尚未有商业上之应用!因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700°C)[1],碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性!由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅[1].

      低品级碳化硅(含SiC约85%)是的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量!此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒!碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9!5级,仅次于世界上硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化!碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物,在高于2000°C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)!β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于2000°C生成,结构如页面附图所示。

纳米材料合成设备

危险化学仪器_纳米碳化硅相关-山东特创新材料科技有限公司
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      碳化硅又名碳硅石、金刚砂,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成.碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石.在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用广泛、经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂!中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3!25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。

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箱式连续碳化硅烘干设备的保养及维护有哪些
喷雾造粒干燥机长时间运行或因操作不当,部分设备内会出现集料而影响正常运行,此时需停止工作进行清洗。对于干燥塔内集料的清理,应打开清扫门,用长把扫帚扫除漏斗形底部集料,打开出料阀,用自来水冲洗塔内。旋风分离器内集尘的清除,同样需要打开旋风分离器,用扫帚清扫集料,必要时也需用水冲洗。
对于袋式除尘器的清理,应打开控制开关,连续敲打,然后打开清洗门,敲打布袋除尘器,*后更换过滤袋。对于料浆管路系统的清理,应打开双向过滤器的排污阀,清洗过滤器滤网和管路,然后打开料泵,以水代料,清洗泵管、稳压包及管道。
  经过一段时间(一般600h 左右)的运转,需对喷雾造粒干燥机进行必要的检查与养护。
对于供料系统,应检查过滤器、管道、阀门、喷嘴等,看有无堵塞,定时清洗,检查喷嘴磨损情况以便及时更换。应检查料泵是否漏油,打压是否正常,油位是否正常等。对于风机,应查看轴和轴承是否缺油发热,有无震动、噪音等,必要时清洗风叶和对风叶做平衡校对。对于加热器,应检查热管是否正常,必要时清洗油管、油泵、油嘴三处的过滤网。
另外,还应留意各电动机有无发热、振动、异声等情况,控制柜的仪表和电器工作是否正常等。
  此外,在设备运转2 400h 左右(一般趁停产期间),需由维修人员对设备进行局部解体和维修保。
  所以目前石墨烯最重要的应用领域就是结合传统微加工技术 ,各种器件 (p - n结、场效应晶体管、单分子探测器等 )已经被实验所实现 ,使 Graphene体现出巨大的应用潜力.虽然 Graphene在微电子学 、纳米电子学 、自旋电子学 、能源存储等方面具有广泛应用前景 ,但是大量的、高质量的 Graphene样品的获得仍然是困扰着人们的问题。利用微力学解理方法获得的 Graphene强烈依赖所使用的石墨 ,目前所能得到的最大面积仅为微米量级 ,而且效率低下 ,很难在产业中使用 ,利用碳化硅分解获得的 Graphene具有大量缺陷 ,过渡金属表面生长的 Graphene不易分离等都为Graphene的产业化提出了问题。Graphene的制备方法仍需要进一步的完善,要大量生产或许荆棘重重。


供应商信息
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