二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通!当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止！因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开.二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛!特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能.

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　　稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性！光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管!它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加！

　　由于反向电流很小，二极管处于截止状态！这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大！一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加.击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿!引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。

发光 二极管是什么

　　在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通！叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V.硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0！2~0。3V.反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。

　　如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高.反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿.如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿.