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微波等离子体增强原子层沉积系统_ALD

超高密度等离子体:高离子和高活性物质密度,在多种混合气源下在10cm下采用碰撞式同轴等离子体发生器,等离子体浓度大于1012cm-3。超快速稳定启辉:匹配等离子源不需要阻抗调谐器,使用自动调节装置,实现100毫秒内完成稳定启辉。超小体积等离子体发生器:采用KF40快速法兰连接,整体重量1kg;可方便快速加装在LabNano9000系列设备上。超灵活气体切换:等离子气体采用脉冲方式进入反应腔,可任意切换不同气源。原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择交替把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比,ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体,以避免气相反应的过程。一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤:1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面,同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附。2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体。3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应,得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物。相对于传统的沉积工艺,ALD技术具有以下明显的优势:•前驱体是饱和化学吸附,不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控,可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单以原子层厚度精度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性,可生成三维保形性化学计量薄膜,•优异的均匀性和一致性,可生成致密的薄膜,•可沉积深宽比达2000:1的结构,对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正,•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温(室温到400℃)下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸,易于缩放,可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低

热式原子层沉积系统_原子层沉积

LabNanoTM系列是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的灵活精巧、高度集成的原子层沉积系统。为欧盟CE认证产品。它的操作界面直观简单,初学者容易熟练掌握,配备多种材料的标准沉积工艺配方,使用及维护成本低。原子层沉积,简称ALD,又称原子层沉积或原子层外延(atomiclayerepitaxy),是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制,这些材料是用于平板显示器。原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比,ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体,以避免气相反应的过程。国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究,也要求该技术能够制备越来越高,满足不同性能指标的新材料。该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法,已开发材料主要如下所示:氧化物:Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物:WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx...硫化物:ZnS,MoS…金属材料:Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…原子层沉积应用领域由发光薄膜材料,扩大到电子器件、机械、化工、能源材料、光学、医学/生物、纳米技术等领域。国内大部分高校及科研院所均设有专门的光学、物理学、薄膜材料学、微电子、通信等专业,研究方向多集中在上述应用范围。随着研究热度的增长,需要不断开发新的原子层沉积技术应用领域。

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