原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜.与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程！国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究，也要求该技术能够制备越来越高，满足不同性能指标的新材料.该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法，已开发材料主要如下所示：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx！

　　硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单地以原子层厚度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低。

高性价比原子层沉积供应商

　　硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…原子层沉积应用领域由发光薄膜材料，扩大到电子器件、机械、化工、能源材料、光学、医学/生物、纳米技术等领域.国内大部分高校及科研院所均设有专门的光学、物理学、薄膜材料学、微电子、通信等专业，研究方向多集中在上述应用范围.随着研究热度的增长，需要不断开发新的原子层沉积技术应用领域!高度集成和灵活性：该系列适用于固态、液态、气态前驱体源.

　　稳定可靠与低使用维护成本：DualOTM氮气保护的双O-Ring高温密封系统，有效隔绝其他气体渗漏.紧凑的全部加热的管路设计和大面积小体积的腔体结构，结合特殊的尾气处理装置，把前驱体源的浪费减少，既有效地节约了前驱体的使用量，同时又避免了在管路中的残留反应和对真空泵的污染所造成的损失！基片尺寸：4-12英寸可选样品高度：6mm，可选配更高样品选件基片温度：RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件前驱体输运系统：标准2路前驱体管路，可以选配到6路以上载气系统：N2或者Ar沉积模式：连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）可选件：手套箱，大尺寸/多片样品夹具，颗粒包裹夹具，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，客户定制反应腔等沉积均匀性：Al2O3均匀性±1%电源：50-60Hz220V/15A交流电源，标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚仪器尺寸：1100X600X1200mm可沉积材料，包括：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx。

　　可实现高速沉积、对微孔内壁、超高宽深比结构等复杂异型3D结构的沉积！消除CVD效应和前驱体反流对沉积过程的影响!实现在材料物质改性等领域的重要应用。易操作性：操作界面直观简单,操作者很容易熟练掌握.所有参数（前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等）均在计算机操作界面中设定修改，整个沉积过程及状态参数均实时显示!所有薄膜沉积模式及工艺配方均可实现自动存储调用！包含多重安全保护机制，如过压保护及出现异常自动关闭ALD阀门防止前驱体泄漏等.纳博特斯克致力于成为“世界领先的航天航空、陆地以及海运设备的运动控制系统和相关零部件的专家”。为达此愿，纳博特斯克成立了四个分部——精密机械事业部、运输产品事业部、航天航空和液压产品事业部以及工业产品事业部，以服务全球市场。我们充分发挥在多种行业的成功经验，并凭借我们的精选产品 ( 点击获取详情 ). 成为在各自领域的市场份额领导者。纳博特斯克将依赖在零部件和系统技术上的众多优势和经验，持续打造创新型产品以实现长期发展壮大。