有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术！碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切!切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润！对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点！

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增!由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限.此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线.碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题!

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　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高！碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性！硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上！同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化！实现高频的性能。碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。

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　　所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10。耐高温.半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效！禁带宽度越大外延晶片均匀性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往会伴随外延晶片均匀性的下降，因此大尺寸外延晶片均匀性的控制是提高器件良率和可靠性、进而降低成本的关键！外延缺陷控制问题。基晶面位错（BPD）是影响碳化硅双极型功率器件稳定性的一个重要结晶缺陷，不断降低BPD密度是外延生长技术发展的主要方向.

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　　同时碳化硅衬底材料能量损失更小!在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间.因此碳化硅器件的能量损失更小!当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增！碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡.