在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压.当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通！叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0。5V，锗管约为0。1V！硅二极管的正向导通压降约为0.6~0！8V，锗二极管的正向导通压降约为0！2~0.3V。反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流!

　　另一种击穿为雪崩击穿!当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对!新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿.无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏！反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

贴片稳压二极管是什么

　　N型半导体形成的原理和P型原理相似.在本征半导体中掺入五价原子，如磷等.掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子.在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子！PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏!

　　PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄！随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通.用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数.

　　值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍！例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏！又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

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