由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大！一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级！温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加！击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿.引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压！电击穿时二极管失去单向导电性！

　　PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄.随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱.当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通!用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数.

　　因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面.当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池.此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能.发光二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成!

led发光二极管符号

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　　当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏.正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区!这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

　　稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性。光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管.它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照!其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加！