由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大.一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级！温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加!击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压!电击穿时二极管失去单向导电性!

　　稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性!光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照！其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加！

　　当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏！正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区！这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压.当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升.

肖特基二极管正负极

　　值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍！例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA!故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性！

　　动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比！电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量！高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率!因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值.则单向导电性将受影响！大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

　　二极管的电路符号如图1所示!二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极.三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管!晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

　　另一种击穿为雪崩击穿.当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对!新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿!无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。