另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对！新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿.无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏!反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流.反向电流越小，管子的单方向导电性能越好！

　　不同类型的二极管有不同的特性参数.伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线!二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0！7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示.对于锗二极管，开启电压为0!2V，导通电压UD约为0!3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS!

　　当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流.当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流！当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象！PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

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质量好二极管v

　　PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄!随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱.当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数!

　　 关于二极管，作为一家主营产品为二极管的厂家，东莞市青桔子电子科技有限公司在其他二极管这个行业中都享负盛名，在业界中也有一定的地位。

　　值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏！又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA！故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

　　二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件！它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通.当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止!因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛！特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能.