由于反向电流很小，二极管处于截止状态.这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大!一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级！温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加！击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿！引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压!电击穿时二极管失去单向导电性。

　　因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏！所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力.为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用.

　　当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区.这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压.当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升！

led发光二极管v

　　N型半导体形成的原理和P型原理相似.在本征半导体中掺入五价原子，如磷等！掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子!在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子.PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。

　　PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄!随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数！

　　面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大。稳压管稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用!稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态!通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏.

　　二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极.三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示!二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管.晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场!当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。