国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受.其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难！第二，光刻胶与曝光工艺。我一直以为碳化硅曝光和硅基本一致，后面发现并不是这样，还是那个问题碳化硅有很好的透光性，普通6英寸光刻工艺的硅的光刻胶是完成不了曝光工序的！

　　必须用的是一种特殊光刻胶？干膜光刻胶？具体名称我叫不上来了，反正和硅肯定不一样!第三刻蚀，这里涉及非常复杂的工艺结构问题，现在玩碳化硅的国际三大家，英飞凌，罗姆，和CREE。其中CREE主要搞平面型，英飞凌的是非对称半包结构，罗姆是双/深沟槽结构，还有一个住友整过一个接地双掩埋。之所有英飞凌和罗姆要整这么复杂的沟槽结构，原因很简单，碳化硅和硅不一样，掺杂后的扩散推结动作异常困难，只能搞挖沟槽。其次，是增加功率/面积比，相比之下沟槽能比平面型降低30%的成本，这招业内俗称“偷面积”，能偷30%，相当可观了！

　　第五，掺杂问题碳化硅烦就是这个离子注入掺杂问题，因为碳化硅的N型掺杂氮，P型掺杂是铝.这铝原子比硅原子和碳原子大太多了，简直异物插入!因此需要高能粒子注入机，目前只有应材和爱发科有，爱发科的机台适合小批量生产，应材的产能更大但是更贵，都300万美金朝上的价格，不管爱发科还是应材都是1年半起步的订货周期，一台设备就是产能，看谁动作快!硅离子注入机能改，但是代价不小，效果一般，建议买新的，这个钱必须花.

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　　枣庄鑫国新能源有限公司坐落于山东省枣庄高新区张范街道枣曹路南侧甘霖村西10米薛煤加油站院内101号，是山东枣庄薛城区知名企业，公司业务联系人海君：15866222366， 期待您的来电咨询更多关于碳化硅相关信息！

　　外延片质量和衬底质量有一定的关系，但是不是关系，高水平的外延能很大程度上弥补衬底固有缺陷，但是缺陷太多长一层外延也并不解决问题，但是外延长的好确实降低了器件对衬底的要求.所以哪怕衬底有这么点瑕疵，外延之后，依然能用。现阶段，是有衬底就行了，所以哪怕衬底质量有些问题，依然能用，敢用原因就在这里，碳化硅需求太旺盛了!其次器件是在外延层上，除了IGBT那种垂直穿通型的结构，大部分都是在外延层上做的结构，衬底甚至还要减薄，剥离，反正有相当一部分衬底都要被剥离，有点小问题也所谓，因此外延工艺降低了器件对衬底的要求，至少二极管之类肯定是能用的!

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　　衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多!其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大!硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。

　　其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控.CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线！以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆.目前国外日新技研和PVATepla的长晶炉基本要卖到300万左右一台！