禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高.碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性.硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上!同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化.实现高频的性能。碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度！

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　　由于碳化硅硬度和蓝宝石比较接近，因此蓝宝石的粗抛设备以及SLurry配方略经改良，是可以用的，细抛就要上新设备了，但是这部分设备占整体成本并不不高，大体可控。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件.碳化硅器件优点如下：耐高压!击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗！

　　有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术!碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切.切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润.对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点。

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　　同时碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间.因此碳化硅器件的能量损失更小。当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增!碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡！

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　　由于物理气象传输（PVT）制备碳化硅衬底的BPD密度较高，外延层中对器件有害的BPD多来自于衬底中的BPD向外延层的贯穿。因此，提高衬底结晶质量可有效降低外延层BPD位错密度。随着碳化硅器件的不断应用，器件尺寸及通流能力不断增加，对结晶缺陷密度的要求也不断增加，在未来技术的进步下，碳化硅外延片结晶缺陷密度会随之不断下降.综述了三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术的防氧化效果以及对材料性能、组成和结构的影响，根据含碳耐火材料的氧化损毁机理，主要分析了防氧化剂的两种作用形式即优先碳源氧化法和优化碳源法.

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限!此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线.碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题！　　完善集成电路产业体系。支持骨干制造企业整合优势资源，加大创新投入，推进工艺升级。继续引导和支持国际芯片制造企业加大在我国投资力度，增设生产基地和研发中心。完善集成电路设计支撑服务体系，促进产业集聚。引导芯片设计企业与整机制造企业加强合作，依靠整机升级扩大国内有效需求。支持设计企业间的兼并重组，培育具有国际竞争力的大企业。支持集成电路重大项目建设与科技重大专项攻关相结合，推动高端通用芯片的设计开发和产业化，实现部分专用设备的产业化应用，形成较为先进完整的集成电路产业链。