在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增.由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限!此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线.碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题.

　　由于物理气象传输（PVT）制备碳化硅衬底的BPD密度较高，外延层中对器件有害的BPD多来自于衬底中的BPD向外延层的贯穿！因此，提高衬底结晶质量可有效降低外延层BPD位错密度.随着碳化硅器件的不断应用，器件尺寸及通流能力不断增加，对结晶缺陷密度的要求也不断增加，在未来技术的进步下，碳化硅外延片结晶缺陷密度会随之不断下降。综述了三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术的防氧化效果以及对材料性能、组成和结构的影响，根据含碳耐火材料的氧化损毁机理，主要分析了防氧化剂的两种作用形式即优先碳源氧化法和优化碳源法。

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　　防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果.详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考！高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。

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　　有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术!碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切.切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润！对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点！

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　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性！硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上!同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能.碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。

　　2cm厚度的碳化硅晶锭，现有技术完全切开也需要至少100小时左右，相当费时间。锯切效率高，但是破片率高，线切效果稍好，但是效率很低!切磨抛设备日本高鸟，永安有不少新设备上线，从业内反馈效果还行，但是日本公司都有个通病，不太愿意大规模扩产，因此这些设备谁买到谁就能先把产能扩出来。英飞凌曾经花了24亿欧元收购一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技术的公司Silecrta，以希望用冷切割技术，低成本得到多的碳化硅晶片.